Nexperia, 分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專(zhuān)門(mén)針對(duì)USB4TM標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)的ESD保護(hù)器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計(jì)工程師將會(huì)特別感興趣。該器件可實(shí)現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動(dòng)態(tài)電阻低至0.1 Ω）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達(dá)20A 8/20 μs）。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。
Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider評(píng)論道：“為避免信號(hào)完整性問(wèn)題，PESD2V8R1BSF ESD保護(hù)二極管提供極低的插入損耗和相應(yīng)的低回波損耗，在10 GHz時(shí)分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護(hù)器件可滿(mǎn)足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著，該器件可放置在USB Type-C®連接器后面，用于保護(hù)耦合電容，同時(shí)仍與USB3.2向后兼容。”
TrEOS保護(hù)二極管采用非常緊湊、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封裝。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)，包括電感極低，可提供快速保護(hù)，并且可集成到單片電路中，無(wú)需焊線(xiàn)，從而減少了機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力。
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