GSI Technology 的 SRAM 具有多種密度、封裝和設(shè)計(jì)選項(xiàng)。
GSI 技術(shù)同步突發(fā) SRAM 圖片GSI Technology 的 NBT SRAM 一直是中端數(shù)據(jù)采集設(shè)計(jì)的主力軍，已有 15 多年的歷史，并且可以提供各種密度、封裝和設(shè)計(jì)選項(xiàng)。這些 SRAM 還帶有長(zhǎng)期存儲(chǔ) IC 支持計(jì)劃。
SyncBurst SRAM 可針對(duì)單個(gè)時(shí)鐘信號(hào)提供 2 到 4 個(gè)字的“突發(fā)”響應(yīng)。SyncBurst SRAM 適合需要中端性能點(diǎn)（通常為 333 MHz 至 166 MHz 時(shí)鐘速率）的網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車和醫(yī)學(xué)成像應(yīng)用。
特性
FT 引腳，用于用戶可配置的直通或管道操作
雙周期取消選擇 (DCD) 操作
2.5 V 或 3.3 V ±10% 內(nèi)核電源
2.5 V 或 3.3 V I/O 電源
LBO 引腳用于線性或交錯(cuò)猝發(fā)模式
模式引腳上的內(nèi)部輸入電阻器允許浮動(dòng)模式引腳
默認(rèn)為交錯(cuò)流水線模式
字節(jié)寫(xiě)入 (BW) 和/或全局寫(xiě)入 (GW) 操作
內(nèi)部自定時(shí)寫(xiě)周期
便攜式應(yīng)用自動(dòng)斷電
符合 RoHS 要求的 100 引線 TQFP 以及 119 和 165 焊球 BGA 封裝
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