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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供TPC8012-H(TE12L,Q)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

TPC8012-H(TE12L,Q) - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：TPC8012-H(TE12L,Q)

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TPC8012-H(TE12L,Q)

制造廠(chǎng)家名稱(chēng)：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

系列：-

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：1.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8012-H(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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