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圖片信息
K4FHE3D4HM-MHCJ圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:K4FHE3D4HM-MHCJ
  • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
  • 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 點擊此處下載K4FHE3D4HM-MHCJ的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 三星芯片型號:K4FHE3D4HM-MHCJ
  • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 容量:24Gb
  • 架構:x32
  • 速率:3733 Mbps
  • 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作溫度:-40 ~ 105 °C
  • 封裝:200FBGA
  • 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
  • K4FHE3D4HM-MHCJ均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司 - K4FHE3D4HM-MHCJ - Samsung公司芯片現(xiàn)貨領導代理商

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