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深圳市南皇電子有限公司長期提供K4B1G0846I-BYNB（品牌: Samsung）充足現貨訂購、免費樣品

K4B1G0846I-BYNB - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持，三星半導體代理穩定貨源。

圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：K4B1G0846I-BYNB

技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND

產品應用分類：雙倍數據率同步動態隨機存儲器

現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！

技術參數詳解：

三星芯片型號：K4B1G0846I-BYNB

制造商：SAMSUNG（三星半導體）

功能類別：雙倍數據率同步動態隨機存儲器

容量：1Gb

架構：128M x 8

速率：2133 Mbps

工作電壓：1.35 V

工作溫度：0 ~ 85 °C

封裝：78FBGA

產品狀態：批量生產

K4B1G0846I-BYNB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Samsung

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