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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGD7NB120S-1（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGD7NB120S-1

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：IGBT 1200V 10A 55W IPAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGD7NB120S-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 55W IPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：20A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A

功率-最大值：55W

開關能量：15mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：29nC

25°C時Td（開/關）值：570ns/-

測試條件：960V，7A，1 千歐，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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