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深圳市南皇電子有限公司長期提供HGTG5N120BND（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：HGTG5N120BND

技術標準參數：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：HGTG5N120BND

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：不適用於新設計

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：21A

電流-集電極脈沖(Icm)：40A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A

功率-最大值：167W

開關能量：450μJ（開），390μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：53nC

25°C時Td（開/關）值：22ns/160ns

測試條件：960V，5A，25 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：65ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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