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深圳市南皇電子有限公司長期提供HGT1S3N60A4DS9A（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：HGT1S3N60A4DS9A

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 17A 70W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGT1S3N60A4DS9A

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 17A 70W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：17A

電流-集電極脈沖(Icm)：40A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A

功率-最大值：70W

開關(guān)能量：37μJ（開），25μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：21nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：6ns/73ns

測試條件：390V，3A，50 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：29ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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