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圖片信息
APTM100DU18TG圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APTM100DU18TG
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載APTM100DU18TG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APTM100DU18TG
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV)
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):43A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):210 毫歐 @ 21.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):372nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):10400pF @ 25V
  • 功率-最大值:780W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP4
  • APTM100DU18TG均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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