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圖片信息
APTM60H23FT1G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTM60H23FT1G
  • 原始制造廠商:Microchip,微芯科技
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載APTM60H23FT1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APTM60H23FT1G
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:4 個 N 通道(H 橋)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):20A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):276 毫歐 @ 17A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5316pF @ 25V
  • 功率-最大值:208W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP1
  • APTM60H23FT1G均從Microchip代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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