深圳市南皇電子有限公司長期提供IPB60R190P6ATMA1（品牌: Infineon）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：IPB60R190P6ATMA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：CoolMOS? P6零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：20.2A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 7.6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 630μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1750pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：151W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263AB）IPB60R190P6ATMA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
