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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BSC010NE2LSI

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：BSC010NE2LSI

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：38A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.05 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：59nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4200pF @ 12V

功率 - 最大值：96W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：PG-TDSON-8

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Infineon

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