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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SQJ912BEP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SQJ912BEP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續漏極(Id)：30A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：11 毫歐 @ 9A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 25V

功率-最大值：48W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

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