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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGB30V60F（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGB30V60F

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGB30V60F

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A

功率-最大值：260W

開關能量：383μJ（開），233μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：163nC

25°C時Td（開/關）值：45ns/189ns

測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

STGB30V60F均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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